Prof. Vobecký byl do Síně slávy ISPSD uveden 5. června 2024 na 36. ročníku konference v německých Brémách. Jeho výzkum v oblasti ovládání doby života nositelů náboje v polovodičích přispěl k posouvání parametrů křemíkových výkonových diod a tyristorů na hranice fyzikálních možností.
Prof. Jan Vobecký publikoval několik set článků v časopisech a na mezinárodních konferencích (z toho 19 na ISPSD) a je autorem více než 80 udělených patentů v oblasti výkonových polovodičových součástek. Vyvinul a kvalifikoval několik průmyslových výrobků, mimo jiné diody s rychlou komutací a vysokonapěťové tyristory, které slouží v přenosových vedeních HVDC po celém světě a přispívají ke zvýšení účinnosti, úsporám energie a ke snížení naší uhlíkové stopy.
„Je mi velkou ctí, že jsem byl uveden do Síně slávy symposia ISPSD, kde je moje jméno citováno vedle významných průkopníků oboru výkonových polovodičů. Od mnohých z nich jsem se učil. Někteří přispěli novými koncepty a technologiemi výkonových součástek. Za jejich odborný přínos k nim chovám velký respekt,” uvedl ke svému ocenění výzkumník, který působí na katedře mikroelektroniky FEL ČVUT.
O ISPSD a Síni slávy
Od prvního setkání, které se konalo v Tokiu v roce 1988, se Mezinárodní sympozium o výkonových polovodičových zařízeních a integrovaných obvodech (ISPSD) etablovalo jako hlavní a skutečně mezinárodní fórum pro technické diskuse o všech aspektech výkonových polovodičových zařízení a integrovaných obvodů. Místa konání konference se střídají mezi Japonskem, Severní Amerikou, Evropou a dalšími oblastmi. ISPSD vyniká kvalitou příspěvků v oblasti výkonových polovodičových součástek a je považováno za nejprestižnější odborné fórum ve své oblasti.
Odkaz na fotografie